- 先进的TrenchSTOP™ IGBT技术： 提供更低的导通损耗和更优的热性能。
- 优化的热管理设计： 确保模块在高功率应用中的稳定运行。
- 紧凑的封装尺寸： 适应空间受限的应用场合，便于系统集成。
- 高功率密度和高效率： 适用于需要高功率输出和高能效比的应用。
- 宽工作温度范围： 适应不同环境温度，保证全球范围内的可靠运行。
更高的可控性：这项技术提供了对开关速度
dv/dt的精确控制，这对于设计工业驱动器时满足电机绝缘要求或EMI限制至关重要。通过调节栅极电阻器的值，可以优化开关速度，从而减少开关损耗并避免电机绝缘问题。
增强的短路耐受能力：TrenchSTOP™ IGBT技术增强了器件的短路耐受时间，这意味着在短路条件下，器件能够承受更大的电流冲击而不会损坏，从而提高了系统的可靠性和安全性。
提高的最大工作温度：新一代的TrenchSTOP™ IGBT模块允许在更高的结温下运行，例如175°C，这不仅提高了功率密度，还有助于在过载情况下保持器件性能。
优化的热性能：由于更低的导通损耗和改进的热管理设计，TrenchSTOP™ IGBT模块在高负载下仍能保持较低的工作温度，从而延长了器件的使用寿命并提高了整体的热稳定性。
提升的功率密度：TrenchSTOP™技术使得IGBT模块可以在更小的封装中提供更高的电流额定值，这有助于缩小系统尺寸，提高空间利用率。
改进的EMI性能：新型微沟槽栅技术有助于减少电磁干扰，使得开关器件在操作时更加稳定，对周围电子设备的影响更小
