PIB671-1500
IGBT模块的过载保护通常涉及以下几个方面：
过流保护：这是非常重要的，因为IGBT的耐过流能力较差，过流可能会在很短的时间内损坏IGBT。过流保护可以通过电流测量或去饱和检测来实现。在一些设计中，使用分流电阻或电流互感器来检测过流情况，当检测到过流时，控制电路会迅速切断IGBT的触发信号，实现保护
过压保护：在IGBT从导通状态切换到关断状态时，由于电路中的杂散电感和负载电感，可能会产生很高的电压尖峰，因此过压保护也非常重要。过压保护可以通过优化电路设计减少杂散电感、使用吸收回路等方法来实现
退饱和现象及其保护：在IGBT导通时，如果集电极-发射极电压（Uce）降低到某个阈值以下，IGBT可能会进入退饱和状态。为了防止这种情况，一些驱动芯片内部会设置退饱和保护机制，当检测到退饱和现象时，会及时关断IGBT
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Overload protection of IGBT modules usually involves the following aspects:
Overcurrent protection: This is very important because IGBTs have poor overcurrent resistance and overcurrent may damage IGBTs in a very short period of time. Overcurrent protection can be achieved by current measurement or desaturation detection. In some designs, shunt resistors or current transformers are used to detect overcurrent, and when overcurrent is detected, the control circuit will quickly cut off the IGBT trigger signal to achieve protection
Overvoltage protection: When the IGBT switches from the on state to the off state, high voltage spikes may be generated due to stray inductors and load inductors in the circuit, so overvoltage protection is also very important. Overvoltage protection can be achieved by optimizing circuit design to reduce stray inductance and using absorption loop
Desaturation phenomenon and its protection: If the collector-emitter voltage (Uce) drops below a certain threshold when the IGBT is on, the IGBT may enter a desaturation state. In order to prevent this, some driver chips will be set inside the desaturation protection mechanism, when the desaturation phenomenon is detected, the IGBT will be turned off in time
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