消费电子行业日益担心浮栅NVM（非易失性内存）不能继续以每比特更低成本来提供更高的存储功能，而每比特更低成本则是驱动NVM市场发展的根本性要求。浮栅方法可能会“撞墙”，意味着替代技术的研究工作已经变得日益关键。科学家们正在研究可以替代FG NAND技术的NVM备选方案，包括相变内存(PCM/PRAM)、电荷俘获内存(CTF/SONOS)、电阻内存(ReRAM)、铁电内存(FeRAM)和磁阻内存(MRAM) 等。
理想的内存应兼具动态内存和非易失性内存的特点：成本越来越低，密度越来越高；快速读/写，类似于或快于现有的DRAM速度；耐久性高，以满足DRAM或SSF应用；保留期长；功率和电压要求低；兼容现在的逻辑电路和半导体工艺。
几种非易失性内存器件。
NVM测试要求发生改变，对测试方案提出新的要求。
电气表征在传统上是使用DC仪器执行的，如源测试单元SMU仪器，表征之前脉冲发生器已经编辑和/或擦除内容单元。其缺点是，这要求某类开关，对测试器件交替应用DC或脉冲信号。另一种方法是偶尔会使用示波器，闪存状态对脉冲电压电平相当敏感，在被测器件DUT上检验脉冲保真度（脉冲宽度、过冲、脉冲电压电平、上升时间、下降时间）。其缺点是测量瞬态电流的复杂性，意味着只能在脉冲传送时才能获得电压测量。
后来传统一体化表征方案有了很大改进，使用定制系统同时测量电流和电压，测量方法一般使用负载或传感电阻器，使用示波器或模数转换器测量电流。但这也存在其缺点，一般创造性不强，测试功能有限，测试控制麻烦，要求耗费大量时间提取信息；以及负载电阻器对传送到器件的电压的影响，对许多脉冲测量会产生明显负作用。
业内目前正在考察许多NVM材料和技术，每种材料和技术在物理内存特点方面都有着独特之处。但是，对这些方法进行整体电气表征时，很多重要的测试参数和方法都是相同的。这种共性意味着可以使用一台测试仪
